离子刻蚀技术现状与未来发展

被引：11

作者：

任延同

机构：

[1] 中国科学院长春光学精密机械研究所

来源：

关键词：

离子刻蚀技术,等子体刻蚀,反应离子刻蚀,离子束铣,聚焦离子刻蚀;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN405.982 [];

学科分类号：

080903 ; 1401 ;

摘要：

目前国内外出现的几种离子刻蚀技术——等离子体刻蚀、反应离子束刻蚀、离子束铣、聚焦离子束刻蚀等分别作了详细介绍，并指出今后离子刻蚀技术的发展方向。

引用

页数：8

共 4 条

[1] 亚微米聚焦离子束溅射刻蚀的实验研究 [J].

毕建华，俞学东，陆家和 .

[2] Si在SF6＋N2中反应离子刻蚀及其剖面的研究 [J].

程美乔，周帆，赵长威 .

[3] 半导体器件工艺中干法刻蚀技术的进展 [J].

李建中 .

[4] 光刻全息图的蚀刻条件研究 [J].

郭永康 ;

郭履容 ;

张晓春 .