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超细碳化硅中游离碳的测定
被引:1
作者
:
陈名浩
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机构:
冶金部钢铁研究总院!北京
陈名浩
沈汝美
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机构:
冶金部钢铁研究总院!北京
沈汝美
艾星涛
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机构:
冶金部钢铁研究总院!北京
艾星涛
邱瑞青
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机构:
冶金部钢铁研究总院!北京
邱瑞青
机构
:
[1]
冶金部钢铁研究总院!北京
[2]
不详
来源
:
分析化学
|
1996年
/ 09期
关键词
:
超细碳化硅;
游离碳;
电位滴定;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TQ174.1 [基础理论];
学科分类号
:
摘要
:
通过加热氧化并电位滴定产生的CO2,分析超细碳化硅粉中游离碳,对部分碳化硅和游离硅同时被氧化的干扰,提出了新的校正方法和计算式,测定精度RSD≤5.1%相对误差≤6.2%。
引用
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