超细碳化硅中游离碳的测定

被引:1
作者
陈名浩
沈汝美
艾星涛
邱瑞青
机构
[1] 冶金部钢铁研究总院!北京
[2] 不详
关键词
超细碳化硅; 游离碳; 电位滴定;
D O I
暂无
中图分类号
TQ174.1 [基础理论];
学科分类号
摘要
通过加热氧化并电位滴定产生的CO2,分析超细碳化硅粉中游离碳,对部分碳化硅和游离硅同时被氧化的干扰,提出了新的校正方法和计算式,测定精度RSD≤5.1%相对误差≤6.2%。
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共 1 条
[1]  
Rossberg A,Otto K,Matthe P.cfi/Ber. DKG . 1992