氮化硅相变的高分辨率电镜研究

使用高分辨率电子显微镜对以细粉α-Si3N4 作原料,热压氮化硅陶瓷过程中的相变问题进行了研究。研究结果指出:整个相变的四步过程中,α-Si3N4 溶解在硅酸盐液相中的一步是控制步骤。α-Si3N4溶解过程的高分辨率电子显微照片,显示了α-Si3N4 晶粒溶解的情形。本工作还揭示,溶解前的α-Si3N4 存在着大量的层错。由于大量缺陷的存在,降低了溶解过程的活化能。因此,在结构上说明了细粉α-Si3N4 原料具有活性,因而用它来制备氮化硅陶瓷材料具有优越性。