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纳米碳化硅粉的制备及其微波介电行为
被引：21
作者：
张波
李建保
孙晶晶
张淑霞
翟华嶂
机构：
[1] 新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室清华大学材料科学与工程系,新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室清华大学材料科学与工程系,新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室清华大学材料科学与工程系,新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室清华大学材料科学与工程系,新型陶瓷与精细工艺国家重点
来源：
关键词：
介电性能;
缺陷;
碳热还原;
碳化硅纳米粉;
D O I：
暂无
中图分类号：
TQ174.7 [陶瓷制品];
学科分类号：
080201 [机械制造及其自动化];
摘要：
通过碳热还原法合成了纳米 Si C粉并对其在 8.2～ 12 .4GHz频率范围的介电参数进行了测量。通过改变铝含量和反应气氛分别得到了 β,12 H和 2 1R型碳化硅粉。β- Si C粉具有比 α- Si C粉高得多的相对介电常数ε′r=30～ 5 0 )和介电损耗角正切值 (tgδ =～ 0 .7)。虽然 Al和 N的固溶将 Si C粉的电阻率减小到 10 2 Ω· cm的量级 ,但其相对介电常数和介电损耗却并没有增加 ,反而随 Al含量的增加降低
引用
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