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SiC电热元件的高温失效分析
被引：6
作者：
常春
于家洪
李木森
田雷言
机构：
[1] 山东工业大学材料科学与工程学院
来源：
关键词：
碳化硅,电热元件,氧化物,气泡;
D O I：
10.13251/j.issn.0254-6051.1999.08.017
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
对炉用ＳｉＣ电热元件在空气介质中于１０００℃～１５８０℃范围的高温失效行为进行了试验分析。元件表面在高温下形成熔融态ＳｉＯ２薄层。由于在氧化反应中生成气体而产生气泡，气泡破裂后材料表面失去保护层，导致了高温氧化的加剧。文中对ＳｉＣ电热元件在不同温度下的脱落物进行了分析，对ＳｉＣ电热元件高温失效的原因进行了综合讨论
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