磁控反应溅射制备大面积掺锡氧化铟薄膜工艺探讨

被引:5
作者
杨绍群
沈祖贻
机构
[1] 秦皇岛工业技术玻璃厂
[2] 秦皇岛工业技术玻璃厂 秦皇岛市
[3] 秦皇岛市
关键词
反应溅射; ITO薄膜; 工艺;
D O I
10.13385/j.cnki.vacuum.1991.01.006
中图分类号
学科分类号
摘要
本文主要介绍磁控反应溅射制备大面积 ITO薄膜(掺锡氧化铟透明导电薄膜)的导电原理、成膜过程、工艺参数的选择以及不同工艺参数对产品性能的影响。实验结果表明:选择各种合理的工艺参数能够获得不同产品需要的ITO薄膜。
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共 1 条
[1]   基体偏压和反应气体分压强对溅射导电膜电阻率的影响 [J].
仲永安 ;
张怀武 ;
许武毅 .
真空, 1989, (04) :54-59