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四电极系统P—N结自停止腐蚀研究
被引：3
作者：
徐义刚，王跃林，曾令海，丁纯
机构：
[1] 浙江大学信息电子工程学系
来源：
基金：
浙江省自然科学基金;
关键词：
自停止腐蚀;
四电极;
化学特性;
厚相;
电极系统;
外延层;
D O I：
暂无
中图分类号：
O475 [P-N结];
学科分类号：
070205 ;
080501 ;
0809 ;
080903 ;
摘要：
本文测量了硅的电化学特性，在此基础上进行了四电极系统Ｐ－Ｎ结自停止腐蚀研究．结果表明，对Ｐ－Ｎ结漏电大的样品也可实现自停止，克服了其他Ｐ－Ｎ结自停止腐蚀技术存在的不足，拓宽了其应用范围．对腐蚀样品的测试结果表明，其膜厚平均值为２１．７μｍ，与外延层厚相一致，成功地实现了腐蚀过程中的膜厚精密控制．研究还表明用这一技术进行多片同时自停止腐蚀是可行的．
引用
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页码：762 / 767+800
页数：7
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