MBE[(AIGaAs)(GaAs)]/GaAs(001)超晶格结构参数的X射线双晶衍射测量研究

被引：14

作者：

姜力

吴苍生

王玉田

高维宾

机构：

[1] 中国科学院高能物理研究所

[2] 中国科学院半导体研究所

[3] 中国科学院半导体研究所北京

来源：

半导体学报 | 1989年 / 02期

关键词：

超晶格; X射线双晶衍射; 迴摆曲线; 卫星峰; 结构参数;

D O I：

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中图分类号：

学科分类号：

摘要：

本文根据超晶格结构的台阶模型,利用X射线衍射的运动学模型,导出了超晶格的X射线衍射峰的相对光强比.利用X射线双晶衍射方法测定了MBE[(AlxGa1-xAs)1(GaAs)m]./GaAs(001)一维超晶格的衍射迴摆曲线,除超晶格的主衍射峰外,还观察到一级和二级卫星峰.由这些衍射峰之间的角距离和相对光强比,计算出了超晶格的结构参数,其中包括周期D、垒宽LB、量子阱宽度LZ和Al含量x值.

引用

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