硅雪崩光电二极管单光子探测器

被引：30

作者：

梁创

aphy.iphy.ac.cn

廖静

梁冰

吴令安

机构：

[1] 中国科学院物理研究所光物理开放实验室!北京-信箱

[2] Email:qo

来源：

关键词：

雪崩光电二极管; 雪崩抑制; 盖革模式; 单光子探测;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN364.2 [];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

将硅雪崩光电二极管应用于盖革模式下 ,制作出高量子效率、低噪音、短死时间的单光子探测器 .设计并制作了雪崩抑制电路 ,获得探测器特性参量为无源抑制方式下死时间1 μs,有源抑制下 60～ 80 ns,输出脉冲宽度 1 5～ 2 0 ns.并详细检测了探测器直到液氮温度下的特性 .观察到一些新现象

引用

页码：1142 / 1147

页数：6