晶化对A-Si:H膜中氢含量及键合形式的作用

被引：9

作者：

何宇亮

颜永红

机构：

[1] 南京大学固体物理研究所

来源：

关键词：

键合; 晶化过程; A-Si; 多晶结构; 氢含量; Si;

D O I：

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学科分类号：

摘要：

本文研究了A-Si:H薄膜中氢原子总含量及硅-氢键合形式随薄膜中晶化程度的变化规律。指出,当晶粒大小为200±50A范围氢含量陡然下降,硅-氢键合由Si-H明显地向Si-H2转化。认为,200±50A是微晶硅膜向多晶硅膜转化的一个相交点。

引用

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