Ga2O3薄膜气体传感器工作机理的研究

被引：4

作者：

马英仁，孟娟，徐晓峰，张振辉

机构：

[1] 黑龙江大学

[2] 哈尔滨市环境监测中心站

来源：

基金：

黑龙江省自然科学基金;

关键词：

气体传感器，氧化物薄膜，氧化物半导体;

D O I：

10.15938/j.jhust.1997.03.027

中图分类号：

TN304.21 [];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

根据缺陷化学理论和半导体表面化学吸附理论，对体电导和表面电导分别提出了两个简化模型──单电离氧空位模型和一维积累层模型，解释了Ｇａ２Ｏ３薄膜在两个不同温区的不同的气体敏感特性。理论与实验结果的一致，表明了这两个简化模型的正确性和有效性。

引用

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