发光二极管中负电容现象的实验研究

被引：4

作者：

王军 ^{[1
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冯列峰 ^{[1
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朱传云 ^{[2
]}

丛红侠 ^{[1
]}

陈永 ^{[1
]}

王存达 ^{[1
]}

机构：

[1] 天津大学应用物理学系

[2] 佛山科学技术学院光电子与物理学系

来源：

光电子·激光 | 2006年 / 01期

关键词：

发光二极管(LEDs); 正向交流(a.c.)特性; 负电容(NC); 电压调制发光(VMEL);

D O I：

10.16136/j.joel.2006.01.001

中图分类号：

TN312.8 [];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

对各种发光二极管(LEDs)的负电容(NC)进行了研究。实验结果表明,所有的LEDs都展示了NC现象。电压调制发光(VMEL)实验确认,在发光有源区中注入载流子引起的强发光复合是产生NC现象的基本原因。测量还表明,不同的LEDs的NC随电压和频率的变化规律是类似的;测试频率越低,正向偏压越高,NC现象越明显。

引用

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页数：4

共 7 条

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