超结器件

被引：108

作者：

陈星弼

机构：

[1] 电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室

来源：

关键词：

半导体功率器件; 超结; 复合缓冲层; 比导通电阻; 硅极限;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN386 [场效应器件];

学科分类号：

080508 [光电信息材料与器件];

摘要：

简要地介绍了突破传统"硅极限"的超结器件发明的背景,以及产生的来由。描述了既用作漂移区又用作耐压区的各种超结结构的导通电阻与击穿电压的关系,及超结MOST瞬态特性中导通过程的器件物理。最后简要地介绍了超结器件的进展。

引用

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页数：6

共 5 条

[1]

Chen, XB ;

Yang, HQ ;

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功率MOSFET与高压集成电路.[M].陈星弼.东南大学出版社.1990,

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陈星弼 .

中国专利 :CN1179397C ,2003-04-16

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中国专利 :CN1102274A ,1995-05-03

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