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软基片上ITO薄膜的光电特性
被引:4
作者
:
陈猛
论文数:
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0
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0
机构:
中国科学院金属研究所!沈阳
陈猛
白雪冬
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机构:
中国科学院金属研究所!沈阳
白雪冬
黄荣芳
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机构:
中国科学院金属研究所!沈阳
黄荣芳
闻立时
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机构:
中国科学院金属研究所!沈阳
闻立时
机构
:
[1]
中国科学院金属研究所!沈阳
[2]
不详
来源
:
功能材料与器件学报
|
1999年
/ 01期
关键词
:
ITO;
聚脂膜;
电阻率;
透射率;
反应窗口;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TN304 [材料];
学科分类号
:
摘要
:
利用直流反应磁控溅射技术,室温下在聚脂膜基片上制备了优良的ITO透明导电薄膜.研究了沉积速率,靶基距,氧流量以及厚度对薄膜光电性能的影响.所得薄膜的最低电阻率为4.23×10-4Ω·cm,可见光区平均透射率大于78%.对应于低电阻率(~10-4Ω·cm)和高透射率(~78$)的反应窗口较文献中已报道的数据明显扩大.
引用
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页码:61 / 65
页数:5
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