IC用高纯试剂中金属杂质分析

被引：10

作者：

朱春富，吴琼

机构：

[1] 电子部电子专用材料质量检测中心

来源：

关键词：

大规模集成电路，高纯试剂，发射光谱;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN47 [大规模集成电路、超大规模集成电路];

学科分类号：

摘要：

对ＨＣＩ、ＨＦ和ＨＮＯ；三种ＭＯＳ级高纯试剂中１８种金属杂质用发射光谱进行分析研究，取２０ｍｌ样品，加人适量甘露醇络合硼杂质，在有机玻璃防尘罩内低温挥发基体富集杂质，最后将杂质溶液转移到一对平头电极上，用电弧光谱进行测定。检测限为０．２～４．０（ｎｇ／ｍｌ），加入标准的回收率绝大部分在９０％以上。

引用

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