未找到相关数据
反应溅射制备TiN薄膜的生长速率模型研究
被引：2
作者：
王宇
张丽娜
陈忠财
李振香
胡慧娟
杨剑辉
王敬义
机构：
[1] 华中理工大学固体电子学系!武汉
来源：
关键词：
反应溅射;
TiN薄膜;
生长速率;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN304 [材料];
学科分类号：
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要：
在分析靶源粒子产生和输运过程基础上，建立了反应溅射TiN薄膜的生长速率方程，按此模型的计算与实验结果基本相符。
引用
收藏
页码：47 / 52
页数：6
相关论文