深亚微米MOSFET热载流子退化机理及建模的研究进展

被引：6

作者：

张卫东

郝跃

汤玉生

机构：

[1] 西安电子科技大学

[2] 上海交通大学

来源：

电子学报 | 1999年 / 02期

关键词：

深亚微米MOS器件，热载流子，可靠性，退化，模型;

D O I：

暂无

中图分类号：

O473,O473 [];

学科分类号：

070205 ; 080501 ; 0809 ; 080903 ;

摘要：

本文给出了深亚微米ＭＯＳ器件热载流子效应及可靠性研究与进展．对当前深亚微米ＭＯＳ器件中的主要热载流子现象以及由其引起的器件性能退化的物理机制进行了详细论述．不仅对热电子，同时也对热空穴的影响进行了重点研究，为深亚微米ＣＭＯＳ电路热载流子可靠性研究奠定了基础．本文还讨论了深亚微米器件热载流子可靠性模型，尤其是ＭＯＳ器件的热载流子退化模型．

引用

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页数：6