反应烧结碳化硅的显微组织及其导电性的研究

被引:3
作者
吕振林
高积强
王红洁
金志浩
机构
[1] 西安交通大学材料科学与工程学院!
关键词
碳化硅; 显微组织; 电阻率;
D O I
10.16552/j.cnki.issn1001-1625.1999.05.013
中图分类号
TQ174.758.812 [];
学科分类号
摘要
研究了液态硅参与下的反应烧结碳化硅的工艺参数、显微组织对其电阻率的影响。随着烧结气氛压力和成型压力增加,反应烧结碳化硅中游离硅量减少,电阻率增加。其烧结机理以碳的溶解及碳化硅的淀析过程为主。
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[1]   MICROSTRUCTURAL EVOLUTION IN REACTION-BONDED SILICON-CARBIDE [J].
NESS, JN ;
PAGE, TF .
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 1986, 21 (04) :1377-1397
[2]  
碳化硅耐火材料.[M].梁训裕;刘景林 编译.冶金工业出版社.1981,
[3]  
硅酸盐物理化学.[M].浙江大学等 编.中国建筑工业出版社.1980,
[4]  
Oxidation behavior of Si- SiC at high temperature..Hayato NANRI; Mitsuru SHIRAI; Nobuyuki TAKEUCHI; et al;.Journal of the Ceramic Society of Japan.1997,