PCVD法制备高敏感非晶氧化铁气敏材料

本文研究了沉积工艺条件对超微粒形成的影响,用PCVD法成功合成出具有良好气敏效应的纳米级非晶氧化铁气敏材料。并且采用ED,XRD,TEM,IR,XPS,DTG等现代化仪器对材料的结构与组成进行了研究。表明初始产物的表面有大量吸附杂质,可通过热处理而将之除去。热处理后,材料表面仍有大量的吸附氧,非晶的晶化温度在270—280℃之间。对元件的测试结果表明:超微粒元件具有工作温度低（250℃）,气体灵敏度高（C2H5OH,200ppm,25倍）,响应速度快以及选择性和稳定性良好的优点,其气敏机理显示出表面控制型气敏机理的特点。这些与传统材料和传统机理不同,有待进一步研究。