磁阻位移传感器的设计

被引：1

作者：

郑然

马建仓

王超

机构：

[1] 西北工业大学电子信息学院

来源：

电子测量技术 | 2007年 / 06期

关键词：

单片机; 磁阻传感器; 信号调理;

D O I：

10.19651/j.cnki.emt.2007.06.061

中图分类号：

TP212.1 [物理传感器];

学科分类号：

080202 ;

摘要：

本文介绍了非接触式磁阻位移传感器的设计。在一定的设计结构下,磁阻芯片在垂直于磁钢磁轴的方向与磁钢发生相对位移时,其电压输出V是关于一个角度θ(外部磁力线与磁阻芯片磁参考方向的角度)的正弦函数:V=Ksin2θ,K为常数。磁阻芯片与磁钢相对位移的产生引起磁力线的方向在磁阻芯片处的变化,进而引起θ角的变化,最后反应为磁阻芯片输出的变化。利用上述正弦函数中接近线性的部分,可以获得位移与V近似线性的关系。在测试过程中,通过对各个磁阻芯片输出的分析,并经过一定的算法处理可以获得待测的位移。

引用

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