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硅压力传感器芯片设计分析与优化设计
被引:13
作者
:
赵艳平
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0
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0
机构:
江苏大学微纳米科学技术研究中心
赵艳平
论文数:
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机构:
丁建宁
杨继昌
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机构:
江苏大学微纳米科学技术研究中心
杨继昌
王权
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机构:
江苏大学微纳米科学技术研究中心
王权
薛伟
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机构:
江苏大学微纳米科学技术研究中心
薛伟
机构
:
[1]
江苏大学微纳米科学技术研究中心
来源
:
微纳电子技术
|
2006年
/ 09期
关键词
:
压阻式压力传感器;
力敏电阻;
芯片;
优化设计;
D O I
:
10.13250/j.cnki.wndz.2006.09.007
中图分类号
:
TP212.1 [物理传感器];
学科分类号
:
080202 ;
摘要
:
用弹性力学和板壳力学理论分析了半导体硅压阻式压力传感器方形膜片的受力分布,为力敏电阻在应变膜上的布置提供依据;利用有限元分析方法和借助ANSYS仿真软件,对微型硅压阻式高温压力传感器应变膜进行了一系列的分析和计算机模拟,探讨了传感器方形应变膜简化应力模型的合理性以及温度对应力差分布的影响,得到了直观可靠的结果。
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页码:438 / 441
页数:4
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共 2 条
[1]
新编传感器技术手册[M]. 国防工业出版社 , 李科杰主编, 2002
[2]
半导体传感器[M]. 天津大学出版社 , 张维新等编, 1990
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