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高度取向ZnO单晶亚微米棒阵列的制备与表征
被引：5
作者：
郭敏
刁鹏
任焱杰
王斌
蔡生民
机构：
[1] 北京大学化学与分子工程学院,北京航空航天大学材料科学与工程学院,北京大学化学与分子工程学院,北京大学化学与分子工程学院,北京大学化学与分子工程学院北京,北京,北京,北京,北京
来源：
关键词：
ZnO;
亚微米棒;
定向生长;
水热法;
SEM;
选区电子衍射(SAED);
XRD;
D O I：
暂无
中图分类号：
O782 [晶体生长工艺];
学科分类号：
摘要：
通过低温压热的方法,在经过预先处理长满晶核的SnO2导电玻璃基底上制备出具有高度取向的ZnO亚微米棒阵列.用扫描电子显微镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)及X射线粉末衍射(XRD),对制备出的ZnO亚微米棒的结构和形貌进行了表征.SEM测试结果表明,ZnO亚微米棒是六方型的,近乎垂直地长在基底上,棒的直径为400～500nm,长度约为2μm.SAED和XRD结果表明,ZnO亚微米棒为单晶,属于六方晶系,并且沿犤001犦方向择优取向生长.
引用
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页码：478 / 480
页数：3
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