SU-8胶与基底结合特性的实验研究

被引:4
作者
刘景全
朱军
蔡炳初
陈迪
丁桂甫
赵小林
杨春生
机构
[1] 上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室
[2]
关键词
SU-8胶; 高深宽比; UVLIGA; 结合性; 微机电系统;
D O I
暂无
中图分类号
TN305.7 [光刻、掩膜];
学科分类号
1401 ;
摘要
SU - 8胶是一种负性、环氧树脂型、近紫外线光刻胶。它适于制作超厚、高深宽比的MEMS微结构。为电铸出金属微结构 ,通常需要采用金属基底。但SU - 8胶对金属基底的结合力通常不好 ,因而限制了其深宽比的提高。从SU - 8胶与基底的浸润性、基底表面粗糙度以及基底对近紫外光的折射特性入手 ,对SU - 8胶与基底的结合力进行分析 ,首次指出 :在近紫外光的折射率高的基底与SU - 8胶有很好的结合性。经实验得出经过氧化处理的Ti片与SU - 8胶结合性强。这有利于为MEMS提供低成本、高深宽比的金属微结构。
引用
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