共 2 条
GaAs/AlAs异质谷间转移电子器件动态工作模式的模拟研究
被引：2
作者：
薛舫时
机构：
[1] 半导体超晶格国家重点实验室!北京
[2] 南京电子器件研究所，南京
来源：
关键词：
异质谷间转移电子器件;
动态模拟;
射频工作模式;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN32 [半导体三极管（晶体管）];
学科分类号：
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要：
使用量子阱能带混合隧穿共振理论及MonteCarlo模拟方法计算了GaAs／AlAs异质谷间转移电子器件的静态和动态工作特性．发现有源层中的电场及Г、X和L三能谷的电子布居基本上可分为强场立能谷区和弱场耿氏区两部分．控制掺杂接日的浓度能调制这两区域的相对大小，控制两种谷间转移电子效应的相互作用，从而改变器件的静态和动态性能动态模拟给出了器件的新射频工作模式：上能谷电子区的宽度调制和低场耿氏区电场的上下浮动．运用这一工作模式解释了器件的各类新工作特性，并且提出了利用这种量子阶控制极来制作新的异质谷间转移电子三极管的可能性
引用
收藏
页码：51 / 55
页数：5
相关论文