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溅射沉积功率对PZT薄膜的组分、结构和性能的影响
被引：3
作者：
李新曦
赖珍荃
王根水
孙璟兰
赵强
褚君浩
机构：
[1] 南昌大学物理系
[2] 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
来源：
基金：
上海市自然科学基金;
关键词：
射频溅射;
沉积功率;
钙钛矿结构;
PZT;
铁电薄膜;
D O I：
暂无
中图分类号：
O484 [薄膜物理学];
学科分类号：
080501 ;
1406 ;
摘要：
用射频 (RF)溅射法在镀LaNiO3 (LNO)底电极的Si片上沉积PbZr0 .52 Ti0 .48O3 (PZT)铁电薄膜 ,沉积过程中基底温度为 370℃ ,然后在大气环境中对沉积的PZT薄膜样品进行快速热退火处理 (6 5 0℃ ,5min) .用电感耦合等离子体发射光谱 (ICP AES)测量其组分 ,X射线衍射 (XRD)分析PZT薄膜的结晶结构和取向 ,扫描电子显微镜 (SEM)分析薄膜的表面形貌和微结果 ,RT6 6A标准铁电综合测试系统分析Pt/PZT/LNO电容器的铁电与介电特性 .结果表明 ,PZT薄膜的组分、结构和性能都与溅射沉积功率有关
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页数：4
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