纳米SiC蓝光发射的研究

被引：4

作者：

刘渝珍

黄允兰

石万全

刘世祥

姚德成

张庶元

韩一琴

陆忠乾

谭寿洪

江东亮

机构：

[1] 中国科学技术大学研究生院

[2] 中国科学技术大学

[3] 中国科学院上海硅酸盐研究所

来源：

发光学报 | 1999年 / 01期

关键词：

纳米SiC粉体，蓝色荧光，快速热退火（RTA）;

D O I：

暂无

中图分类号：

O472.3,O472.3 [];

学科分类号：

070205 ; 080501 ; 0809 ; 080903 ;

摘要：

在４．６８ｅＶ的激光激发下，室温ＣＶＤ合成的纳米ＳｉＣ粉体，可发射４７５ｎｍ的蓝光，经６００～１１００℃在Ｎ２气氛下进行快速退火（ＲＴＡ）处理，其荧光强度随退火温度升高而增强，当Ｔ≥９００℃时，荧光强度下降，但发光峰位与退火温度无关．通过ＸＲＤ、ＩＲ、ＴＥＭ、ＸＰＳ等研究，认为纳米ＳｉＣ中与氧有关的缺陷可能是引起４７５ｎｍ蓝光发射的主要原因

引用

页码：52 / 56

页数：5

共 10 条

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