一种高压ns级脉冲形成电路

被引：9

作者：

贺元吉

张亚洲

李传胪

机构：

[1] 国防科技大学理学院!长沙

来源：

高电压技术 | 2000年 / 04期

关键词：

脉冲发生器; 电容分压器; 纳秒脉冲;

D O I：

10.13336/j.1003-6520.hve.2000.04.006

中图分类号：

TM83 [高电压试验设备及测量技术];

学科分类号：

摘要：

分析了脉冲形成电路参数对脉冲上升时间的影响 ,设计了一种集脉冲电容器、脉冲整形器、电容分压器和匹配负载为一体的 ns级脉冲形成电路。该电路采用同轴结构 ,波阻抗为 5 0 Ω,电容分压器的分压比为 932 ,频率响应高达 1GHz。脉冲形成电路能产生脉冲前沿为 2 ns、后沿为 1.8ns、底宽为 5 .6 ns、峰值为 71k V的高压窄脉冲

引用

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