纳米Si/C/N复相粉体的制备及其在不同基体中的微波介电特性

被引：5

作者：

赵东林

周万城

机构：

[1] 西北工业大学凝固技术国家重点实验室

[2] 西北工业大学凝固技术国家重点实验室西安

[3] 西安

来源：

无机材料学报 | 2001年 / 05期

关键词：

纳米Si/C/N复相粉体; 微波介电常数; 微观结构; 界面作用;

D O I：

暂无

中图分类号：

TB383 [特种结构材料];

学科分类号：

070205 ; 080501 ; 1406 ;

摘要：

以六甲基二硅胺烷（（Ｍｅ３Ｓｉ）２ＮＨ）（Ｍｅ：ＣＨ３）为原料，用双反应室激光气相合成纳米粉体装置制备了纳米Ｓｉ／Ｃ／Ｎ复相粉体．研究了纳米Ｓｉ／Ｃ／Ｎ复相粉体在不同基体中８．２～１２．４ＧＨｚ的微波介电特性，纳米粉体介电常数的实部（ε’）和虚部（ε”）随频率增大而减小，介电损耗（ｔｇδ＝ε”／ε’）较高·纳米Ｓｉ／Ｃ／Ｎ复相粉体中的ＳｉＣ微晶固溶了大量的Ｎ原子，在纳米Ｓｉ／Ｃ／Ｎ复相粉体中形成大量的带电缺陷；极化弛豫是吸收电磁波的主要原因．

引用

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