中间退火氩气稀释HCI氧化制备超薄SiO2介质

被引：1

作者：

湾福祥

章定康

黄敞

机构：

[1] 航空航天部骊山微电子学研究所

来源：

关键词：

超薄SiO2介质; 氧化; 退火; 击穿强度;

D O I：

10.19304/j.cnki.issn1000-7180.1991.08.012

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

本文详细分析了影响制备高质量超薄SiO2介质的主要因素,找到了制备超薄SiO2介质的较佳工艺,即中间退火氩气稀释氯化氢氧化法,用该方法制备的100～120（?）超薄SiO2介质平均击穿强度达12MV/cm.

引用

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