SiC抗辐照特性的分析

被引：44

作者：

尚也淳

张义门

张玉明

机构：

[1] 西安电子科技大学微电子所!陕西西安,西安电子科技大学微电子所!陕西西安,西安电子科技大学微电子所!陕西西安

来源：

西安电子科技大学学报 | 1999年 / 06期

关键词：

碳化硅; 辐照; 材料; 器件;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304.0 [一般性问题];

学科分类号：

080906 [电磁信息功能材料与结构];

摘要：

用半导体抗辐照的机理说明了ＳｉＣ材料具有良好的抗辐照特性．实验数据的对比表明，ＳｉＣ在器件发光二极管（ＬＥＤ），结型场效应晶体管（ＪＦＥＴ）和金属氧化物半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）上对辐照影响不敏感．从原理上预测了ＳｉＣ集成电路的单粒子反转（ＳＥＵ）截面，结果说明ＳｉＣ集成电路具有好的抗ＳＥＵ能力

引用

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