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用MOCVD法在YSZ衬底上制备YBCO膜
被引：3
作者：
张宏
吴艺雄
王智河
周锷猷
任琮欣
江炳尧
牟海川
柳襄怀
机构：
[1] 中国科学院上海冶金研究所,中国科学院离子束开放实验室
来源：
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O484 [薄膜物理学];
学科分类号：
070204 [等离子体物理];
摘要：
用低压ＭＯＣＶＤ多源法在单晶ＹＳＺ和具有双轴取向ＩＢＡＤ ＹＳＺ的金属基带上沉积了ＹＢ ＣＯ膜，它们的Ｊｃ（７７．３Ｋ，０Ｔ）分别为～２×１０６Ａ／ｃｍ２和～７×１０４Ａ／ｃｍ２．分析了本试验中的Ｊｃ差别原因．在单晶ＹＳＺ上ＹＢＣＯ高Ｊｃ数值显示了用ＭＯＣＶＤ制备涂层膜导体的潜力
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