基于SCR的ESD器件低触发电压设计

被引：8

作者：

李冰 ^{[1
,2
]}

杨袁渊 ^{[3
]}

董乾 ^{[4
]}

机构：

[1] 东南大学集成电路学院

[2] 东南大学无锡分校

[3] 新南威尔士大学电子工程和电信学院

[4] 无锡奥利杰科技有限公司

来源：

固体电子学研究与进展 | 2009年 / 29卷 / 04期

关键词：

静电释放; 可控硅; 低触发电压;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN432 [场效应型];

学科分类号：

摘要：

设计和验证了三种低电压触发的SCR结构ESD保护电路,采用上华0.5μmCMOS工艺流片,测试表明,所有的器件都具有低电压触发特性,在器件宽度只有50μm的条件下,能达到400V正向机器模式的ESD性能。实验中发现了意外失效情况,文章给出了分析。

引用

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页数：5

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共 2 条

[1]

D et al.A gate-Coupled PTLSCR/NTLSCR ESD protection Circuit for deep-Submicron low-voltage CMOS IC’S .2 Ker M. IEEE Journal of Solid-state circuits . 1997

[2]

Design on the lov-leakage diode string for using in the power-rail ESD clamp circuits in a0.35μm silicide CMOS process .2 Ker M D,Lo W Y. IEEE Trans-actions on Solid-state Circuits . 2000