单片系统(SoC)设计技术

被引：12

作者：

陈岚

唐志敏

不详

机构：

[1] 中国科学院计算技术研究所计算机系统结构研究室

[2] 中国科学院计算技术研究所计算机系统结构研究室北京

[3] 北京

来源：

计算机研究与发展 | 2002年 / 01期

关键词：

单片系统(SoC); 设计复用技术; 芯核(IP); 可测试性设计; 物理综合;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN402 [设计];

学科分类号：

080903 ; 1401 ;

摘要：

集成电路技术在近 10年里有了飞速的发展 ,加工工艺从 0 .5μm ,0 .6μm亚微米级工艺发展到 0 .2 5μm ,0 .18μm甚至 0 .1μm的深亚微米 (DSM)和超深亚微米级工艺 (VDSM) .单芯片集成度大大提高 ,加上集成电路设计的多年积累 ,单个芯片有能力实现复杂系统 ,这就是单片系统 (system on a chip) .在单芯片上实现复杂系统不是简单地将过去的设计在同一芯片上简单的集成 ,需要考虑许多新的技术问题 .将介绍单片系统的设计特点以及涉及单片系统设计的关键技术 ,其中包括设计复用技术、使用 IP核的注意事项以及端口标准化等问题 ;深亚微米设计的设计要点和难点 :深亚微米电路的电学模型以及连线延迟计算方法和避免传输线效应的方法 ;同时还将介绍单片系统的测试技术和一些测试方案 ,物理综合概念和目前流行的能提供深亚微米设计能力的主流 EDA工具

引用

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