薄膜生长的随机模型

被引:43
作者
刘祖黎
魏合林
王汉文
王均震
机构
[1] 华中理工大学物理系
关键词
薄膜生长; 模型研究; 初始阶段; 晶体生长; 基底温度; 粒子数;
D O I
暂无
中图分类号
O484.1 [薄膜的生长、结构和外延];
学科分类号
摘要
利用MonteCarlo模型研究了薄膜生长初始阶段岛的形貌与基底温度之间的关系,同时还研究了它们与汽相粒子入射剩余能量之间的关系.模型中考虑了三种动力学过程:粒子入射、吸附粒子扩散和粒子脱附,与以前薄膜生长模型的不同之一在于把入射过程看作独立于其他过程,而扩散和脱附过程是相互关联的.结果表明随基底温度的升高,岛的形貌经历了一个从分散生长、分形生长到凝聚生长的变化过程.低温下随汽相粒子入射和剩余能量增加,岛的形貌也经历了同样的变化过程
引用
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页数:7
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