高压超快GaAs光电导开关的研制

被引：7

作者：

梁振宪

施卫

机构：

[1] 西安交通大学电气工程学院!西安

[2] 西安理工大学应用物理系!西安

来源：

电子学报 | 1998年 / 11期

关键词：

光电导开关; Lock-on效应; 脉冲功率技术;

D O I：

暂无

中图分类号：

TM564 [各种开关];

学科分类号：

080801 ;

摘要：

本文首次报导了采用全固态绝缘、微带线低电感输出的Si-GaAs高压超快光电导开关的研制结果该器件的耐压强度为35kV／cm，典型的电流脉冲上升时间为200ps，电流达100A并在实验中观测到典型的高倍增（Lock-on效应）现象

引用

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共 1 条

[1]

S.E.Thompson,F.A Lindholm.Influence of heavilydoped contacts on photoconductive switch properties. IEEE Trans . 1990