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离子束增强沉积形成梯度薄膜
被引:9
作者
:
柳襄怀,杨根庆,王曦,郑志宏,黄巍,邹世昌
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室
柳襄怀,杨根庆,王曦,郑志宏,黄巍,邹世昌
机构
:
[1]
中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室
来源
:
材料研究学报
|
1994年
/ 01期
关键词
:
离子束增强沉积,氮化硅,梯度薄膜;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TG174.44 [金属复层保护];
学科分类号
:
080503 ;
摘要
:
在金属衬底(Al、钢、铝-碳纤维、Ni3Al)上用离子束增强沉积形成氮硅化物的梯度薄膜.在薄膜的一侧有很高的电阻(107Ω),而在另一侧电阻根低(1Ω),在绝缘层和导电层之间电阻呈梯度变化.对梯度薄膜的组分、硬度、附着力、疲劳寿命、抗腐蚀能力和抗高温氧化性能进行了测试和分析.
引用
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页码:61 / 66
页数:6
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