采用CCl2F2/O2的高深宽比硅槽的刻蚀

被引：4

作者：

姚雅红

赵永军

吕苗

皮舜

李江

赵颜军

机构：

[1] 清华大学精仪系陀螺教研室

[2] 电子工业部第十三研究所

来源：

半导体学报 | 1998年 / 07期

关键词：

刻蚀; 混合气体; 蚀刻; 水蚀; 刻蚀机理; CCl2F2/O2; 刻蚀速率; 高深宽比;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN405.982 []; TN304. [];

学科分类号：

080903 ; 1401 ; 0805 ; 080501 ; 080502 ;

摘要：

本文通过实验和对样品上钝化层成分的分析，提出了ＣＣｌ２Ｆ２／Ｏ２混合气体对单晶硅的各向异性刻蚀机理：在一定功率下，ＣＣｌ２Ｆ２离解出大量的ＣＦｘ粒子和Ｃｌ粒子，在前者对样品的轰击下后者与轰击出的Ｓｉ原子反应生成挥发性的ＳｉＣｌ４，产生刻蚀．Ｏ２的加入一方面形成钝化层ＳｉｘＯｙＦｚ保护侧壁，另一方面通过消耗ＣＦｘ粒子减少其与Ｃｌ粒子的再结合而达到加速目的．探讨了在一定条件下压力和ＩＣＰ功率对刻蚀速率和各向异性的影响．在大量实验的基础上优化各刻蚀参数，在ＩＣＰ７９０设备上刻出了宽３μｍ，深１６μｍ的窄槽，刻蚀速率约为２００ｎｍ／ｍｉｎ．

引用

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