纵向磁场对真空断路器截流的影响

被引：5

作者：

邹积岩

程礼椿

谌若虹

刘晓辉

机构：

[1] 华中理工大学

[2] 国营八九七厂

来源：

关键词：

纵向磁场; 真空断路器; 截流;

D O I：

10.13296/j.1001-1609.hva.1990.04.004

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

作者对纵向磁场如何影响真空断路器截流水平的问题进行了较为全面的实验研究。研究结果表明,在作者所采用的试品条件下,选用合适的触头材料(Cu—W—C)和加上适当的纵向磁场(0.5～2mT),能使真空断路器的平均截流水平低于0.5A,最大截流低于2A。

引用

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