STM针尖和外电场在Si(111)-7×7表面单原子操纵中的作用

被引：5

作者：

李群祥

杨金龙

丁长庚

汪克林

李家明

机构：

[1] 中国科学技术大学选键化学开放实验室

[2] 中国科学技术大学基础物理中心

[3] 清华大学单原子分子测控科学中心

[4] 中国科学院物理研究所

来源：

物理学报 | 1999年 / 06期

基金：

国家攀登计划;

关键词：

原子操纵; 外电场; STM; Si; 针尖;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484 [薄膜物理学];

学科分类号：

080501 ; 1406 ;

摘要：

利用第一性原理的离散变分局域密度泛函方法，采用团簇模型（Ｓｉ３４Ｈ３６Ｗ１１）来模拟ＳＴＭ操纵Ｓｉ（１１１）７×７表面顶角吸附原子的过程．通过分析在进行原子操纵过程中体系的能量与电子云密度分布来研究针尖和外电场的作用．结果表明，当针尖与样品间距离较近时，利用两者间有较强的相互作用，能有效地降低脱出能的能垒高度．外电场对体系脱出能的影响与其大小及极性有关，当样品上所加正偏压增强时，脱出能曲线高度单调下降，而外电场极性为负时，反而稍有增高．仅考虑针尖和样品之间的静态电子相互作用及静电场的作用，尚不能使被操纵原子脱离样品表面．最后讨论了在Ｓｉ（１１１）７×７表面上进行原子操纵的其他机理

引用

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