磁控溅射制备In2O3-SnO2薄膜与分析

被引：5

作者：

李世涛

乔学亮

陈建国

机构：

[1] 华中科技大学模具技术国家重点实验室

[2] 华中科技大学模具技术国家重点实验室武汉

[3] 武汉

来源：

中国有色金属学报 | 2005年 / 08期

关键词：

ITO薄膜; 磁控溅射; 氧流量; “B-M”效应;

D O I：

10.19476/j.ysxb.1004.0609.2005.08.011

中图分类号：

TN304.055 [];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

选择In2O3与SnO2质量比1∶1的靶材为溅射源,采用磁控溅射法沉积了ITO薄膜,讨论了溅射氩气压强、氧流量、基体温度对薄膜透射率和方阻的影响,深入分析了其机理。研究结果表明:溅射时采用低Ar压强更有利于降低ITO薄膜的电阻率,并确定最佳氩气压强为0.2Pa,厚度为120nm的ITO薄膜在可见光区的透过率可达到90%;氧流量能明显改变薄膜的性能,随着氧流量从0增加10L/min(标准状态下,下同),载流子浓度(N)则由3.2×1020降低到1.2×1019/cm3,N值的变化与ITO薄膜光学禁带宽度(Eg)的变化密切相关。振子模型与实验结果吻合,并确定了ITO薄膜的等离子波长(λp=1510nm)。薄膜随方阻减小表现出明显的“B-M”效应。通过线性外推,建立了直接跃迁的(αE)2模型,并确定了薄膜的Eg值(3.5～3.86eV)。

引用

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