光耦器件瞬态饱和对微机保护装置的影响及对策

被引:9
作者
蔡敏
程利军
机构
[1] 华北电力大学(北京)四方研究所
[2] 南瑞集团南京中德保护控制系统有限公司 北京市
[3] 江苏省 南京市
关键词
微机保护; 瞬态饱和; 光耦器件; 快速瞬变脉冲群;
D O I
暂无
中图分类号
TM774 [继电保护装置];
学科分类号
摘要
提出在快速瞬变扰动的作用下,光耦器件将产生瞬时饱和现象。指出瞬变扰动从直流电源、交流电流、电压端口施加时,即使开关量输入没有任何信号,光耦器件的输出也一直存在电平跌落、再恢复的过程,该过程伴随着每一个瞬变脉冲,相当于光耦器件已经导通,影响开关量输入的正确性。光耦器件用于串行口、开关量输出等回路时也存在上述现象。因此认为光耦器件瞬时饱和现象是普遍存在的,对微机保护装置影响较大,同时提出基于硬件、软件的解决方案。
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共 1 条
  • [1] 微机继电保护装置电磁兼容研究[D]. 程利军.华北电力(北京)大学. 2001