Mg2+对脑缺血再灌注损伤保护作用的研究

被引：15

作者：

孙圣刚

李小凤

童萼塘

机构：

[1] 武汉同济医科大学附属协和医院神经内科

[2] 重庆医科大学第二附属医院神经内科

来源：

临床神经病学杂志 | 1999年 / 05期

关键词：

镁离子; 脑缺血; 再灌注损伤;

D O I：

暂无

中图分类号：

R363 [病理生理学];

学科分类号：

摘要：

目的　探讨镁离子（Ｍｇ２＋）对脑缺血再灌注损伤的保护作用。方法　用线栓法建立脑缺血再灌注模型，观察Ｍｇ２＋对脑缺血再灌注损伤的保护作用及对肿瘤坏死因子（ＴＮＦ）和细胞粘附分子（ＩＣＡＭ）表达的影响。结果　Ｍｇ２＋治疗组和脑缺血再灌注组ＴＮＦ和ＩＣＡＭ表达较对照组明显增加，神经功能缺陷评分下降，但Ｍｇ２＋治疗组和脑缺血再灌注组之间ＴＮＦ和ＩＣＡＭ表达无显著差异。结论　Ｍｇ２＋对脑缺血再灌注损伤具有保护作用，但不影响ＴＮＦ和ＩＣＡＭ的表达。

引用

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