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MOCVD生长的动力学模式探讨
被引:8
作者
:
王浩
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
华南师范大学信息光电子学学院
王浩
范广涵
论文数:
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机构:
华南师范大学信息光电子学学院
范广涵
廖常俊
论文数:
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0
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0
机构:
华南师范大学信息光电子学学院
廖常俊
机构
:
[1]
华南师范大学信息光电子学学院
[2]
华南师范大学信息光电子学学院 广东广州
[3]
广东广州
来源
:
华南师范大学学报(自然科学版)
|
2003年
/ 02期
关键词
:
化学反应动力学;
金属有机化合物气相沉积(MOCVD);
晶体生长;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TN304.055 [];
学科分类号
:
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要
:
讨论金属有机化合物气相沉积 (MOCVD)方式生长晶体的一种动力学解释 .应用分子动力学、化学反应动力学等推导出MOCVD反应过程中晶体生长速度 -原材料输运速度有关的公式 ,并应用这个公式进行了计算 ,计算结果与实际生长时的参数接近 .
引用
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页码:54 / 57
页数:4
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共 2 条
[1]
热物理学基础.[M].包科达编著;.高等教育出版社.2001,
[2]
薄膜生长.[M].吴自勤;王兵著;.科学出版社.2001,
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