具有优良性能的MCBiCMOS　IC结构

被引：2

作者：

茅盘松，范建林

机构：

[1] 东南大学电子工程系

来源：

关键词：

倒相器; 双极晶体管; IC; MCBiCMOS;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN386 [场效应器件];

学科分类号：

摘要：

本文分析了几种常规ＢｉＣＭＯＳ门电路的特性，对ＭＣＲｉＣＭＯＳ集成电路结构的二输入与非门和１１级环形振荡器进行了实验研究，并与常规ＢｉＣＭＯＳ进行了比较。实验结果说明：ＭＣＢＩＣＭＯＳ具有电路结构简单；芯片面积小；工作速度高，负载能力强和低压工作性能好等优点。

引用

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