较薄坡莫合金薄膜的磁性能和结构

被引：6

作者：

于广华

赵洪辰

朱逢吾

夏洋

机构：

[1] 北京科技大学材料物理系!北京

[2] 中国科学院微电子中心!北京

来源：

真空科学与技术 | 2001年 / 05期

基金：

国家自然科学基金重大项目;

关键词：

NiFe薄膜; 各向异性磁电阻; 矫顽力; 内应力;

D O I：

10.13922/j.cnki.cjovst.2001.05.019

中图分类号：

TM276 [磁介质、坡莫合金];

学科分类号：

0805 ; 080502 ; 080801 ;

摘要：

基于辉光放电原理在不同的溅射气压下制备的NiFe薄膜 ,发现较低溅射气压下比较高溅射气压下制备的NiFe薄膜的磁性能要好得多。较低溅射气压下制备的NiFe(12nm)薄膜 ,各向异性磁电阻 (AMR)值达到 1 2 % ,而其矫顽力却只有12 7 4A/m。结构分析表明 :较低溅射气压下制备的NiFe薄膜结构缺陷较少 ,内应力小 ;而较高溅射气压下制备的NiFe薄膜结构缺陷较多 ,内应力大

引用

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