Sb掺杂SrTiO3透明导电薄膜的光电子能谱研究

被引：8

作者：

崔大复

王焕华

戴守愚

周岳亮

陈正豪

杨国桢

刘凤琴

奎热西

钱海杰

机构：

[1] 中国科学院物理研究所与凝聚态物理中心光物理试验室

[2] 中国科学院

来源：

物理学报 | 2002年 / 01期

基金：

国家自然科学基金重点项目;

关键词：

光电子能谱; 光学透过率; 脉冲激光沉积薄膜;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484.4 [薄膜的性质];

学科分类号：

080501 ; 1406 ;

摘要：

用X射线光电子能谱和同步辐射光电子能谱研究了Sb掺杂的钙钛矿型氧化物SrTi1 -xSbxO3(x =0 .0 5 ,0 .10 ,0 .15 ,0 .2 0 )薄膜的电子结构 .薄膜由紫外脉冲激光淀积在SrTiO3( 0 0 1)单晶衬底上 .该薄膜系列在可见光波段透明 ,透过率均超过 90 % .其导电性与掺杂浓度有关 ,当Sb掺杂浓度x =0 .0 5时 ,薄膜显示金属型导电性 .X射线光电子能谱和同步辐射光电子能谱研究结果表明 ,Sb掺杂在母化合物SrTiO3的禁带内引入了浅杂质能级和深杂质能级 .浅杂质能级上的退局域化电子离化到导带中会产生一定的传导电子 ,这是SrTi0 .95Sb0 .0 5O3薄膜金属型导电性的起源 .杂质带与导带中低的电子态密度限制了跃迁概率和光吸收 .大的禁带宽度 ,小的跃迁概率和弱的光吸收 ,是该导电薄膜具有较高光学透明度的原因

引用

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