纳米硅薄膜光吸收谱的研究

被引：4

作者：

刘湘娜

何宇亮

F.WANG

R.SCHWARZ

机构：

[1] 南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室

[2] Physics Department E

[3] Technical University of Munich

[4] W- Garching

[5] Germany

[6] Germany 南京

[7] 南京北京航空航天大学非晶态物理研究室

[8] 北京

来源：

物理学报 | 1993年 / 12期

关键词：

纳米硅薄膜; 深能级缺陷; 界面区; 带尾; 光吸收谱; 局域态密度; 电子跃迁; 辐射跃迁;

D O I：

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中图分类号：

学科分类号：

摘要：

用恒定光电导法测量了纳米硅（其晶粒尺寸为3-5nm,晶态成分比Xc为45％—50％）薄膜在0.9—2.5eV范围的光吸收谱。分析了在不同光子能量范围可能存在的对光电导作主要贡献的几种光跃迁过程,以及随着Xc的增加,材料由非晶、微晶转变为纳米硅薄膜时光吸收谱的变化。发现纳米硅晶粒之间的界面区（平均厚度约为1nm）中载流子的跃迁及传输过程对整个范围的光吸收谱起主导作用。联系纳米硅的这种特殊结构解释了有关实验结果。

引用

页码：1979 / 1984

页数：6