晶体生长的台阶列运动的一个基本特点

被引：4

作者：

罗豪，仲维卓，殷之文，小松启

机构：

[1] 中国科学院上海硅酸盐研究所，日本东北大学金属材料研究所

来源：

关键词：

溶液晶体晶体生长；碘化合物；实时观察；螺位错生长；台阶运动；CdI＿2晶体;

D O I：

10.16553/j.cnki.issn1000-985x.1995.01.010

中图分类号：

O781 [晶体生长理论];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

本文介绍了用实时观察方法研究水溶液中晶体生长长机制的实验。通过对水溶液中ＣｄＩ＿２晶体的生长台阶运动的实时观察研究，首次提出了在过饱和度较小的条件下，生长台阶列的间距和生长界面上环境相的过饱和度成反比的结论。本文还给出了在一定的限制条件下，台阶列运动的这一特点的理论推导。

引用

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