无机纳米/聚酰亚胺复合杂化膜的绝缘特性研究

被引：17

作者：

查俊伟 ^{[1
,2
]}

党智敏 ^{[1
,2
]}

机构：

[1] 北京化工大学化工资源有效利用国家重点实验室

[2] 北京市新型高分子材料制备及工艺重点实验室

来源：

绝缘材料 | 2008年 / 41卷 / 06期

关键词：

耐电晕; 聚酰亚胺; 纳米杂化膜; 介电性能;

D O I：

10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2008.06.002

中图分类号：

TB383.2 [];

学科分类号：

070205 ; 080501 ; 1406 ;

摘要：

将无机纳米粒子(TiO2)分散在聚酰胺酸(PAA)前躯体中,经过原位聚合的方法制备出纳米TiO2粒子分散均匀的聚酰亚胺/纳米TiO2复合杂化膜,研究了不同掺杂含量对杂化膜的介电、物理等特性的影响,建立了耐电晕模型。同时通过FTIR研究其亚胺化程度以及用SEM分析纳米粒子在聚酰亚胺基体中的分散状态。结果表明,纳米粒子在PI基体中分散均匀,TiO2的引入对杂化膜的介电常数、介质损耗因数、电气强度和耐电晕性能产生了很大的影响,随着TiO2含量的增加,耐电晕性能得到大幅度的提高,TiO225%含量时介电常数为5.1左右,介质损耗因数在0.03以下,电气强度为110 MV/m,并在实验的基础上初步建立了耐电晕性能的老化机理。因此,在高耐热性绝缘材料中均匀分散一些纳米无机粒子,可以大幅度提高抗高频脉冲尖峰电压和耐电晕等方面的性能。

引用

页码：4 / 7+13 +13

页数：5

共 5 条

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