激光直写邻近效应的校正

被引：10

作者：

杜惊雷

黄奇忠

姚军

张怡霄

郭永康

邱传凯

崔铮

机构：

[1] 四川大学物理系,中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家开放实验室

来源：

关键词：

激光直写，亚微米，邻近效应，光学邻近校正;

D O I：

暂无

中图分类号：

O437 [非线性光学（强光与物质的作用）];

学科分类号：

摘要：

邻近效应是限制光刻系统分辨力的一个重要因素，它也限制了激光直写在亚微米和亚半微米光刻中的应用。分析了激光直写邻近效应产生的原因，指出它和电子束直写及投影光刻的区别，提出了一种简便有效的邻近校正方法。实验表明，通过光学邻近校正（ＯＰＣ），利用微米级激光直写系统，制作出了０．６μｍ的实用光刻线条

引用

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